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沛顿科技与多方协议 共同出资设立沛顿存储

2020-11-02 08:17:13 来源 : 集微网

11月1日,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司新增对外投资,被投资企业为合肥沛顿存储科技有限公司(下称“沛顿存储”),出资9.5亿人民币,占比达31%。

10月16日,深科技全资子公司沛顿科技与大基金二期、合肥经开投创以及关联方中电聚芯签署《投资协议》,共同出资设立沛顿存储,注册资本30.6亿元。

其中,沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.1亿元、9.5亿元、3亿元和1亿元,各持有沛顿存储55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股权。

沛顿存储成立后,将投建存储先进封测与模组制造项目,该项目总投资30.67亿元,其中建设投资29.65亿元,建设周期36个月。

其中,将主要建设DRAM存储芯片封装测试业务,计划全部达产后月均产能为4800万颗;建设存储模组业务,计划全部达产后月均产能为246万条模组;建设NAND Flash存储芯片封装业务,计划全部达产后月均产能为320万颗。

据了解,该项目技术来源于沛顿科技。目前,沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术,如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等,现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术,最大单颗芯片容量可达到256G。

深科技表示,通过本次项目的实施,沛顿科技可以提升自身先进封测综合实力,在先进封测领域取得突破性进步;同时,项目实施可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务,有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒,加速存储器国产化替代进程,提升国产存储器芯片的产业规模,促进我国存储器产业链发展。

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