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重磅!国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工

2020-06-22 10:15:20 来源 : 集微网

6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。

(来源:湖北日报)

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

该项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。

6月17日,湖北省委书记应勇和湖北省委副书记、省长王晓东与紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国座谈交流。应勇指出,国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目,技术领先、前景广阔,希望紫光集团立足武汉、深耕湖北,在保持技术研发领先优势的同时,加强市场开拓,扩大产能规模,推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。

在国家存储器基地项目二期开工仪式上,王晓东表示,国家存储器基地项目二期开工,是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动,也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措,必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”,为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。

赵伟国表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

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