首页 资讯频道 互联频道 智能频道 网络 数据频道 安全频道 服务器频道 存储频道

三安光电斥巨资160亿元建设第三代半导体产业园

2020-06-18 09:39:51 来源 : 半导体行业观察

昨日,三安光电发布公告,将以投资160亿元现金在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园。

公告指出,该项目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额160亿元。他们在公告中指出,该项目将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72个月内实现达产。至于每期的资金投入,公告指出,由于项目周期较长,每期投资金额尚未明确,待明确后履行信息披露义务。与此同时,公司还与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020年6月15日签署《项目投资建设合同》。

在公告中,他们还披露了这个合同的主要情况。

(一)投资项目的基本情况

为落实第三代半导体产业园项目(以下简称“项目”)的具体实施,根据《民法总则》、《合同法》、《物权法》等有关法律法规规定,双方本着平等自愿、诚实信用、协商一致的原则,订立本合同。

1、项目具体开发建设内容:投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,在甲方园区研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET,以甲方认可的乙方项目实施主体最终可研报告为准。

2、项目的实施主体:乙方将在甲方辖区成立控股子公司作为项目实施主体,负责项目的投资、建设及运营。

3、项目用地:项目拟用地位于长沙高新技术产业开发区,用地面积约1,000亩,土地用途为工业用地,土地使用权年限为 50 年。

4、项目投资建设规模和进度:项目总投资人民币160 亿元。甲方承诺依法依规给予乙方和项目实施主体各项投资优惠政策和支持,乙方在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产;72个月内实现达产。投资时序、固定资产投资强度等事项最终以乙方项目实施主体可研报告为准。

(二)基础设施配套

甲方出让项目用地的基础设施需达到“八通一平”,接至项目用地红线边;甲方负责在项目用地范围内为乙方项目实施主体建设一座11万伏变电站(双回路),变电站产权归乙方项目实施主体所有;甲方负责协助乙方项目实施主体依法依规根据实际情况需要,在项目建设用地范围内建设特种气体气源、原材料等配套设施,并负责协助乙方项目实施主体办理相关手续;甲方负责解决项目实施主体按照环保标准所需的各种污染物排放量指标批复。

(三)投资优惠政策

乙方及项目实施主体应按约履行合同,甲方同意给予乙方项目实施主体补助、扶持、补贴等支持资金,包括科技研发专项扶持、生产要素补贴、两高人才补贴、市场拓展等。

(四)违约责任

双方按照公平公正、平等对等原则,履行完成本合同项下责任义务。任何一方违反合同约定义务的,守约方有权要求违约方在合理期限内整改,违约方未在限期内整改或无法整改的,守约方可根据违约程度以及公平对等原则,要求违约方赔偿相应损失,并视情况选择解除合同。

(五)合同生效条件

经双方签字盖章后成立,并于双方有权机构审批通过之日起生效。

合同还就规划及设计、用地要求及退出条件、不可抗力、其他事项等相关事项进行了界定。

同时,他们还说了这次对外投资对上市公司的影响。公告表示,公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,致力于化合物半导体集成电路业务的发展,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划,符合公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

来源:内容来自半导体行业观察综合,谢谢。

昨日,三安光电发布公告,将以投资160亿元现金在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园。

公告指出,该项目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额160亿元。他们在公告中指出,该项目将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72个月内实现达产。至于每期的资金投入,公告指出,由于项目周期较长,每期投资金额尚未明确,待明确后履行信息披露义务。与此同时,公司还与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020年6月15日签署《项目投资建设合同》。

在公告中,他们还披露了这个合同的主要情况。

(一)投资项目的基本情况

为落实第三代半导体产业园项目(以下简称“项目”)的具体实施,根据《民法总则》、《合同法》、《物权法》等有关法律法规规定,双方本着平等自愿、诚实信用、协商一致的原则,订立本合同。

1、项目具体开发建设内容:投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,在甲方园区研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET,以甲方认可的乙方项目实施主体最终可研报告为准。

2、项目的实施主体:乙方将在甲方辖区成立控股子公司作为项目实施主体,负责项目的投资、建设及运营。

3、项目用地:项目拟用地位于长沙高新技术产业开发区,用地面积约1,000亩,土地用途为工业用地,土地使用权年限为 50 年。

4、项目投资建设规模和进度:项目总投资人民币160 亿元。甲方承诺依法依规给予乙方和项目实施主体各项投资优惠政策和支持,乙方在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产;72个月内实现达产。投资时序、固定资产投资强度等事项最终以乙方项目实施主体可研报告为准。

(二)基础设施配套

甲方出让项目用地的基础设施需达到“八通一平”,接至项目用地红线边;甲方负责在项目用地范围内为乙方项目实施主体建设一座11万伏变电站(双回路),变电站产权归乙方项目实施主体所有;甲方负责协助乙方项目实施主体依法依规根据实际情况需要,在项目建设用地范围内建设特种气体气源、原材料等配套设施,并负责协助乙方项目实施主体办理相关手续;甲方负责解决项目实施主体按照环保标准所需的各种污染物排放量指标批复。

(三)投资优惠政策

乙方及项目实施主体应按约履行合同,甲方同意给予乙方项目实施主体补助、扶持、补贴等支持资金,包括科技研发专项扶持、生产要素补贴、两高人才补贴、市场拓展等。

(四)违约责任

双方按照公平公正、平等对等原则,履行完成本合同项下责任义务。任何一方违反合同约定义务的,守约方有权要求违约方在合理期限内整改,违约方未在限期内整改或无法整改的,守约方可根据违约程度以及公平对等原则,要求违约方赔偿相应损失,并视情况选择解除合同。

(五)合同生效条件

经双方签字盖章后成立,并于双方有权机构审批通过之日起生效。

合同还就规划及设计、用地要求及退出条件、不可抗力、其他事项等相关事项进行了界定。

同时,他们还说了这次对外投资对上市公司的影响。公告表示,公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,致力于化合物半导体集成电路业务的发展,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划,符合公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

最近更新