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大力度推进国家存储器基地建设 强化国家存储器基地发展资本保障

2020-05-28 10:21:54 来源 : 集微网

据长江网报道,全国两会上,刘江东等多位全国人大代表联名建议,支持武汉加速建设国家存储器基地。

据悉,代表们表示,要以更大力度推进国家存储器基地建设,确保项目一期后续资金如期及时到位,以超常举措推进生产设备进场装机和原材料供应,力争项目一期2020年底实现产能10万片/月的原计划目标不变,并尽快启动项目二期投资建设;同时要强化国家存储器基地发展资本保障,国家有关部门要支持长江存储整体上市或拆分上市,支持武汉新芯改制上市。

2016年2月,武汉国家存储器基地项目落户武汉东湖新技术开发区,总投资1600亿元,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存制造厂房。预计2020年,整个项目完成,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

4月2日,该项目于获得复工批复,据通用技术集团当时消息,项目目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。

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