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三星正研发160层3D闪存 或成第七代V-NAND闪存基础

2020-04-20 09:22:08 来源 : 集微网

日前,有消息称,继去年推出的136层第六代V-NAND闪存后,三星目前正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。

据了解,136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额,实力是最强的,不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

就在上周,我国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了三个世界第一。此外,SK Hynix在去年也已宣布正在研发176层堆栈的4D闪存;不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,不能单看层数高低。

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