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RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

作者:zdnet出处:博客2016-03-23 07:33

  阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场,并在上海设立新的办事处。

RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

  Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示:"中国是电子行业发展最快的市场,亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术,我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外,我们近期与中芯国际已达成合作,将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺,有望使新的应用开发受益。"

  通过集成更大的片上非易失性阻变式存储器(RRAM)到智能卡、机顶盒、IP相机和监视器等一系列应用,Crossbar的客户现正设计并推出低功耗、高安全性的解决方案。

  Minassian博士还表示:"物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块,也可单独作为EEPROM内存,将是满足这些需求的理想解决方案。"

  Crossbar技术首先由中国出生的卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士研发,他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位,以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验,他先作为哈佛大学的博士后研究员,然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家,包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

  Crossbar RRAM技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者,从而赢得这一价值600亿美元的全球市场。Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据,能够将海量信息,例如250小时的高清电影,存储在比邮票还小的集成电路上,并进行回放。凭借简单的三层结构,堆叠性和CMOS兼容性,Crossbar能在最新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上,实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。Crossbar拥有大容量和快速的优势,并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。

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责任编辑:郑亮

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